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VISHAY  SI4922BDY-T1-E3.  DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC

VISHAY SI4922BDY-T1-E3.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Dual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
8A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0135ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
12V
Tensión Umbral Vgs:
1.8V
Disipación de Potencia Pd:
2W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
Y-Ex
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000388

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