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VISHAY  SI4909DY-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V

VISHAY SI4909DY-T1-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P Doble
Intensidad Drenador Continua Id:
-8A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-40V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.021ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-1.2V
Disipación de Potencia Pd:
3.2W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000136

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