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VISHAY  SI4564DY-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal N y P, 10 A, 40 V, 0.0145 ohm, 10 V, 800 mV

VISHAY SI4564DY-T1-GE3

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Resumen del producto

The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N y P
Intensidad Drenador Continua Id:
10A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
40V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0145ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
800mV
Disipación de Potencia Pd:
3.1W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000253

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