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SI4447ADY-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal P, -7.2 A, -40 V, 0.036 ohm, -10 V, -1.2 V

SI4447ADY-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -7.2 A, -40 V, 0.036 ohm, -10 V, -1.2 V

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI4447ADY-T1-GE3
Código Farnell:
2056685
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The SI4447ADY-T1-GE3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and adaptor switch applications.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia

Información del producto

:
Canal P
:
-7.2A
:
-40V
:
0.036ohm
:
-10V
:
-1.2V
:
4.2W
:
SOIC
:
8Pines
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Ilimitado
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