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VISHAY  SI4427BDY-T1-GE3.  P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC

VISHAY SI4427BDY-T1-GE3.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
-9.7A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0088ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-600mV
Disipación de Potencia Pd:
1.5W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
Y-Ex
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000248

Alternativas

MOSFET, P CHANNEL, -30V, -19.7A, SOIC-8

VISHAY

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P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC

VISHAY

1.879:  Productos en stock

Precio para: Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

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