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VISHAY  SI4403CDY-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

VISHAY SI4403CDY-T1-GE3
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Resumen del producto

The SI4403CDY-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, high current load switch and notebook applications.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:
-13.4A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0125ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-4.5V
Tensión Umbral Vgs:
-400mV
Disipación de Potencia Pd:
5W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.0005

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal P, -10 A, -20 V, 0.008 ohm, -10 V, 770 mV

DIODES INC.

Cinta
2.498 Productos en stock

Precio para: Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

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