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VISHAY  SI4288DY-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal N Doble, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY SI4288DY-T1-GE3
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Resumen del producto

The SI4288DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
  • Halogen-free
  • TrenchFET® power MOSFET

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N Doble
Intensidad Drenador Continua Id:
9.2A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
40V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0165ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
1.2V
Disipación de Potencia Pd:
3.1W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia;
  • Computers & Computer Peripherals

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.0005

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