Low

VISHAY  SI3993CDV-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal P Doble, -2.9 A, -30 V, 0.092 ohm, -10 V, -1.2 V

VISHAY SI3993CDV-T1-GE3
Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI3993CDV-T1-GE3
Código Farnell:
2056716RL
Hoja de datos técnicos:
Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Información del producto

Polaridad de Transistor:
Canal P Doble
Corriente de Drenaje Continua Id:
-2.9A
Tensión Drenador-Fuente (Vds):
-30V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on):
0.092ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-1.2V
Disipación de Potencia Pd:
1.4W
Encapsulado del Transistor:
TSOP
Número de Pines:
6Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000005