Low

VISHAY  SI3590DV-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 30 V, 0.062 ohm, 4.5 V, 1.5 V

VISHAY SI3590DV-T1-GE3
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Resumen del producto

The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • Low conduction losses

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N y P
Intensidad Drenador Continua Id:
2.5A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.062ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
1.5V
Disipación de Potencia Pd:
830mW
Diseño de Transistor:
TSOP
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000045