Low

SI3590DV-T1-GE3 - 

MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 30 V, 0.062 ohm, 4.5 V, 1.5 V

VISHAY SI3590DV-T1-GE3

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI3590DV-T1-GE3
Código Farnell:
2056715
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
-
:
830mW
:
1.5V
:
TSOP
:
30V
:
4.5V
:
150°C
:
0.062ohm
:
2.5A
:
Canal N y P
:
6Pines
:
-
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Resumen del producto

The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • Low conduction losses

Aplicaciones

Administración de Potencia

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