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VISHAY  SI3460DDV-T1-GE3  MOSFET,N CHANNEL,D-S,20V,7.9A,TSOP6

VISHAY SI3460DDV-T1-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
7.9A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.023ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
400mV
Disipación de Potencia Pd:
1.7W
Diseño de Transistor:
TSOP
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000049

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY

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