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VISHAY  SI2399DS-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV

VISHAY SI2399DS-T1-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:
-6A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.028ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-600mV
Disipación de Potencia Pd:
2.5W
Diseño de Transistor:
TO-236
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000008

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -20 V, 31 mohm, -4.5 V, -550 mV

DIODES INC.

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