Low

SI2399DS-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV

VISHAY SI2399DS-T1-GE3

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI2399DS-T1-GE3
Código Farnell:
2056681
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
-
:
2.5W
:
-600mV
:
TO-236
:
-20V
:
-10V
:
150°C
:
0.028ohm
:
-6A
:
Canal P
:
3Pines
:
-
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Resumen del producto

The SI2399DS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and DC-to-DC converter applications.
  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range
  • Halogen-free

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia

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