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SI2366DS-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal N, 5.8 A, 30 V, 0.03 ohm, 10 V, 1.2 V

SI2366DS-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal N, 5.8 A, 30 V, 0.03 ohm, 10 V, 1.2 V

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI2366DS-T1-GE3
Código Farnell:
2056680
Hoja de datos técnicos:
(EN)
Vea todos los documentos técnicos

Resumen del producto

The SI2366DS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, high frequency switching and DC-to-DC converter applications.
  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range
  • Halogen-free

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia

Información del producto

:
Canal N
:
5.8A
:
30V
:
0.03ohm
:
10V
:
1.2V
:
2.1W
:
SOT-23
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
-
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Tipo de embalaje Cinta
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