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VISHAY  SI2312CDS-T1-GE3  MOSFET,N CHANNEL,20V,6A,DIODE,SOT23

VISHAY SI2312CDS-T1-GE3
Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI2312CDS-T1-GE3
Código Farnell:
2395606
Hoja de datos técnicos:
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Información del producto

Polaridad de Transistor:
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id:
6A
Tensión Drenador-Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on):
0.0265ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
450mV
Disipación de Potencia Pd:
1.25W
Encapsulado del Transistor:
SOT-23
Número de Pines:
3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000043

Alternativas

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