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VISHAY  SI2312CDS-T1-GE3  MOSFET,N CHANNEL,20V,6A,DIODE,SOT23

VISHAY SI2312CDS-T1-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
6A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0265ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
450mV
Disipación de Potencia Pd:
1.25W
Diseño de Transistor:
SOT-23
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000043

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

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