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SI2312BDS-T1-E3 - 

Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV

SI2312BDS-T1-E3 - Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI2312BDS-T1-E3
Código Farnell:
2396085RL
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The SI2312BDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia

Información del producto

:
Canal N
:
3.9A
:
20V
:
0.025ohm
:
4.5V
:
850mV
:
750mW
:
SOT-23
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
-
:
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