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VISHAY  SI2312BDS-T1-E3  Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV

VISHAY SI2312BDS-T1-E3
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Resumen del producto

The SI2312BDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
3.9A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.025ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
850mV
Disipación de Potencia Pd:
750mW
Diseño de Transistor:
SOT-23
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
Singapore

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412100
Peso (kg):
.000039

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V

INFINEON

Cinta
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Precio para: Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

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