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VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3.  N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.9A, TO-236

VISHAY SI2302CDS-T1-GE3.
Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI2302CDS-T1-GE3.
Código Farnell:
2118681
Hoja de datos técnicos:
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Información del producto

Polaridad de Transistor:
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id:
2.9A
Tensión Drenador-Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on):
0.045ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on):
2.5V
Tensión Umbral Vgs:
850mV
Disipación de Potencia Pd:
710mW
Encapsulado del Transistor:
TO-236
Número de Pines:
3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000039

Alternativas

MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL

VISHAY

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