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VISHAY  SI1922EDH-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY SI1922EDH-T1-GE3
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N Doble
Intensidad Drenador Continua Id:
1.3A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.165ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
400mV
Disipación de Potencia Pd:
1.25W
Diseño de Transistor:
SOT-363
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000005