Low

SI1922EDH-T1-GE3 - 

MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY SI1922EDH-T1-GE3

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI1922EDH-T1-GE3
Código Farnell:
2056714
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
-
:
1.25W
:
400mV
:
SOT-363
:
20V
:
4.5V
:
150°C
:
0.165ohm
:
1.3A
:
Canal N Doble
:
6Pines
:
-
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Resumen del producto

The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
  • Halogen-free
  • ESD protected device

Aplicaciones

Industrial, Dispositivos Portátiles, Administración de Potencia