Low

VISHAY  SI1539CDL-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal N y P, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY SI1539CDL-T1-GE3
Technical Data Sheet (238.09KB) EN Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N y P
Intensidad Drenador Continua Id:
700mA
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.323ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
1.2V
Disipación de Potencia Pd:
340mW
Diseño de Transistor:
SOT-363
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000005

Productos asociados