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VISHAY  SI1469DH-T1-E3.  MOSFET, P CH, -20V, -2.7A, SOT-363-6

VISHAY SI1469DH-T1-E3.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
1.6A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.065ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
-1.5V
Disipación de Potencia Pd:
2.78W
Diseño de Transistor:
SOT-323
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000036