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SI1427EDH-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal P, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV

SI1427EDH-T1-GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
Referencia del fabricante:
SI1427EDH-T1-GE3
Código Farnell:
2056679
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The SI1427EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
  • 2000V ESD performance
  • Built in ESD protection with Zener diode
  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range
  • Halogen-free

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles

Advertencias

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Información del producto

:
Canal P
:
-2A
:
-20V
:
0.05ohm
:
-4.5V
:
-400mV
:
2.8W
:
SOT-363
:
6Pines
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Ilimitado
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Tipo de embalaje Cinta
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