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VISHAY  SI1317DL-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

VISHAY SI1317DL-T1-GE3
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Resumen del producto

The SI1317DL-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
  • -50 to 150°C Operating temperature range
  • Halogen-free
  • 100% Rg tested

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:
-1.4A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.125ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-4.5V
Tensión Umbral Vgs:
450mV
Disipación de Potencia Pd:
500mW
Diseño de Transistor:
SOT-323
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000005