Low

VISHAY  SI1016CX-T1-GE3  MOSFET Doble, Canal N y P, 600 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY SI1016CX-T1-GE3
Technical Data Sheet (231.82KB) EN Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Resumen del producto

The SI1016CX-T1-GE3 is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with load switch, small signal switches and level-shift switches, battery operated systems and Portable applications. It offers high-side switching, ease in driving switches and low offset (error) voltage.
  • TrenchFET® power MOSFET
  • Low-voltage operation
  • High-speed circuits
  • 100% Rg tested

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N y P
Intensidad Drenador Continua Id:
600mA
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.33ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
400mV
Disipación de Potencia Pd:
220mW
Diseño de Transistor:
SOT-563
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Aplicaciones

  • Industrial;
  • Dispositivos Portátiles;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.002