Low

VISHAY  IRFI744GPBF  Transistor MOSFET, Canal N, 4.9 A, 450 V, 630 mohm, 10 V, 4 V

VISHAY IRFI744GPBF
Technical Data Sheet (261.18KB) EN Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
4.9A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
450V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.63ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
4V
Disipación de Potencia Pd:
40W
Diseño de Transistor:
TO-220FP
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Legislación y medioambiente

País de origen:
Great Britain

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.002

Productos asociados