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TOSHIBA  2SK2613(F)  MOSFET de Potencia, Canal N, 8 A, 1 kV, 1.7 ohm, 10 V, 4 V

TOSHIBA 2SK2613(F)
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
8A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
1kV
Resistencia en Estado ON (Rds):
1.7ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
4V
Disipación de Potencia Pd:
150W
Diseño de Transistor:
TO-3P
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Japan

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.01143