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TEXAS INSTRUMENTS  CSD23201W10  Transistor MOSFET, Canal P, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD23201W10
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Resumen del producto

The CSD23201W10 is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an -2.2A ultra-low profile.
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1 x 1mm
  • Low profile 0.62mm height
  • 3kV Gate ESD protection
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:
1.1A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-12V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.066ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-4.5V
Tensión Umbral Vgs:
600mV
Disipación de Potencia Pd:
1W
Diseño de Transistor:
DSBGA
Núm. de Contactos Macho:
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Seguridad;
  • Industrial

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.0001

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