Low

CSD23201W10 - 

Transistor MOSFET, Canal P, 1.1 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, 600 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD23201W10

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Referencia del fabricante:
CSD23201W10
Código Farnell:
1710777RL
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
-
:
1W
:
600mV
:
DSBGA
:
-12V
:
-4.5V
:
150°C
:
0.066ohm
:
1.1A
:
Canal P
:
4Pines
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-
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Resumen del producto

The CSD23201W10 is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an -2.2A ultra-low profile.
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1 x 1mm
  • Low profile 0.62mm height
  • 3kV Gate ESD protection
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Aplicaciones

Administración de Potencia, Seguridad, Industrial

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