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NXP  PSMN4R0-40YS,115  MOSFET, N CHANNEL, 40V, 100A, 4-SOT-669

NXP PSMN4R0-40YS,115
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
100A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
40V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0032ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3V
Disipación de Potencia Pd:
106W
Diseño de Transistor:
SOT-669
Núm. de Contactos Macho:
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Philippines

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
0

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 3.2 mohm, 10 V, 3 V

NXP

Cinta
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