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NXP  PMGD290XN,115  MOSFET ARRAY, DUAL N CHANNEL, 20V, 860MA, 6-SOT-363

NXP PMGD290XN,115
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Dual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
860mA
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.29ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
1V
Disipación de Potencia Pd:
410mW
Diseño de Transistor:
SOT-363
Núm. de Contactos Macho:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412100
Peso (kg):
.000044