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NXP  BSP225,115.  P CH, DMOS FET, -250V, -225MA, 4-SOT-223

NXP BSP225,115.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
-200mA
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-250V
Resistencia en Estado ON (Rds):
10ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-2.8V
Disipación de Potencia Pd:
1.5W
Diseño de Transistor:
SOT-223
Núm. de Contactos Macho:
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000262