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NXP  BSP030,115.  MOSFET, N CH, 30V, 10A, 4-SOT-223

NXP BSP030,115.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
5A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.02ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
2V
Disipación de Potencia Pd:
8.3W
Diseño de Transistor:
SOT-223
Núm. de Contactos Macho:
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2014)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000228