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NXP  BSH201,215  P CHANNEL, DMOS FET, -60V, -300MA, 3-SOT-23, FULL REEL

NXP BSH201,215
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
-300mA
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-60V
Resistencia en Estado ON (Rds):
2.1ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-1.9V
Disipación de Potencia Pd:
417mW
Diseño de Transistor:
SOT-23
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412100
Peso (kg):
0