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NXP  BSH121,135.  MOSFET, N CHANNEL, 55V, 300MA, 3-SOT-323

NXP BSH121,135.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
300mA
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
55V
Resistencia en Estado ON (Rds):
2.3ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
1V
Disipación de Potencia Pd:
700mW
Diseño de Transistor:
SOT-323
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412100
Peso (kg):
0