Low

NXP  BSH105,215.  N CHANNEL, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-23

NXP BSH105,215.
Technical Data Sheet (110.46KB) EN Vea todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Información del producto

Transistor, Polaridad:
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
1.05A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
20V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.14ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
4.5V
Tensión Umbral Vgs:
570mV
Disipación de Potencia Pd:
417mW
Diseño de Transistor:
SOT-23
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412100
Peso (kg):
.00004

Alternativas

N CHANNEL, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-23, FULL REEL

NXP

18.000:  Productos en stock

Precio para: Cada (Empaquetado en Rollo Completo)

3000+ 0,0977 € 6000+ 0,0918 € 15000+ 0,0859 € 30000+ 0,0842 € más...

Comprar