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INFINEON  IRLR3114ZPBF  Transistor MOSFET, Canal N, 130 A, 40 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.5 V

INFINEON IRLR3114ZPBF
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Resumen del producto

The IRLR3114ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
  • Advanced process technology
  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
  • Logic level

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
130A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
40V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0039ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
2.5V
Disipación de Potencia Pd:
140W
Diseño de Transistor:
TO-252
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000711

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 40 V, 3 mohm, 10 V, 1.2 V

INFINEON

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Precio para: Cada

1+ 0,925 € 20+ 0,832 € 50+ 0,621 € 150+ 0,527 € más...

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