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IRG4BC20FDPBF - 

Transistor Único IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pines

INFINEON IRG4BC20FDPBF
INFINEON IRG4BC20FDPBF

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Referencia del fabricante:
IRG4BC20FDPBF
Código Farnell:
8650330
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
16A
:
1.66V
:
600V
:
-
:
60W
:
TO-220AB
:
150°C
:
3Pines
:
-
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Resumen del producto

The IRG4BC20FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies (1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). It feature generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
  • Optimized for specific application conditions
  • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Aplicaciones

HVAC, Iluminación, Electrónica de Consumo, Administración de Potencia

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