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INFINEON  IRG4BC20FDPBF  Transistor Único IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pines

INFINEON IRG4BC20FDPBF
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Resumen del producto

The IRG4BC20FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies (1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). It feature generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
  • Optimized for specific application conditions
  • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Información del producto

Corriente de Colector DC:
16A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on):
1.66V
Disipación de Potencia Pd:
60W
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
600V
Diseño de Transistor:
TO-220AB
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • HVAC;
  • Iluminación;
  • Electrónica de Consumo;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
Mexico

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.004309

Alternativas

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