Low

INFINEON  IRFL4315PBF  Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 150 V, 185 mohm, 10 V, 5 V

INFINEON IRFL4315PBF
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Resumen del producto

The IRFL4315PBF is a 150V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
  • Low gate to drain charge to reduce switching loss
  • Fully characterized capacitance and avalanche SOA
  • Surface mount

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
2.6A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
150V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.185ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
5V
Disipación de Potencia Pd:
2.8W
Diseño de Transistor:
SOT-223
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
Y-Ex
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000218

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