Low

INFINEON  IRF8736PBF  Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V

INFINEON IRF8736PBF
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Resumen del producto

The IRF8736PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology.
  • Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
  • Low gate charge
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • 100% Tested for RG

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
18A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0048ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
1.8V
Disipación de Potencia Pd:
2.5W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Computers & Computer Peripherals

Legislación y medioambiente

País de origen:
Thailand

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000245

Alternativas

N CHANNEL MOSFET, 30V, 24.5A, SOIC, FULL REEL

VISHAY

Esperando entrega (Disponibles para pedidos pendientes según los plazos de entrega que se muestran)

Precio para: Cada (Empaquetado en Rollo Completo)

2500+ 1,06 € 5000+ 0,874 € 10000+ 0,785 €

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Transistor MOSFET, Canal N, 18.5 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.8 V

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