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INFINEON  IRF8721PBF  Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 2.35 V

INFINEON IRF8721PBF
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Resumen del producto

The IRF8721PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The latest HEXFET® power MOSFET silicon technology into the industry standard package. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications.
  • Very low gate charge
  • Low gate impedance
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
  • 20V VGS Maximum gate rating

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
14A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0085ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
2.35V
Disipación de Potencia Pd:
2.5W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Comunicaciones y Red

Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000234

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

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