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INFINEON  IPP65R190C7FKSA1  MOSFET de Potencia, Canal N, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

INFINEON IPP65R190C7FKSA1
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Resumen del producto

The IPP65R190C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
  • Revolutionary best-in-class RDS (ON)
  • Reduced energy stored in output capacitance (EOSS)
  • Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
  • Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
  • Lowest conduction losses
  • Low switching losses
  • Better light load efficiency
  • Increasing power density
  • Outstanding CoolMOS™ quality

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
13A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
650V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.168ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3.5V
Disipación de Potencia Pd:
72W
Diseño de Transistor:
TO-220
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Administración de Potencia;
  • Energía Alternativa;
  • Comunicaciones y Red

También conocido como

IPP65R190C7 , SP000929426

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000006

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