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INFINEON  IPD65R190C7ATMA1  MOSFET de Potencia, Canal N, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

INFINEON IPD65R190C7ATMA1
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Resumen del producto

The IPD65R190C7 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET providing the world's lowest RDS (on) with low switching losses and efficiency improvements over the full load range. The new CoolMOS™ C7 series offers a ~50% reduction in turn-off losses (Eoss) compared to the CoolMOS™ CP, offering a GaN-like level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
  • Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
  • Lower gate charge
  • Space-saving through reduction of parts
  • Improved safety margin
  • Lowest conduction losses
  • Low switching losses
  • Better light load efficiency
  • Increasing power density

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
13A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
650V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.168ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3.5V
Disipación de Potencia Pd:
72W
Diseño de Transistor:
TO-252
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Comunicaciones y Red;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Energía Alternativa

También conocido como

IPD65R190C7 , SP000928648

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000006