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INFINEON  IPB107N20N3GATMA1  Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPB107N20N3GATMA1
Referencia del fabricante:
IPB107N20N3GATMA1
Código Farnell:
2432725RL
También conocido como
IPB107N20N3 G , SP000676406
Hoja de datos técnicos:
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Resumen del producto

The IPB107N20N3 G is a 200V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for h...
  • Highest efficiency
  • Highest power density
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  • Minimal device paralleling required
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  • Easy to design in

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
88A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
200V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0096ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3V
Disipación de Potencia Pd:
300W
Diseño de Transistor:
TO-263
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Control de Motor;
  • Iluminación;
  • Industrial;
  • Audio;
  • Iluminación LED

También conocido como

IPB107N20N3 G , SP000676406

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.00181