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IPB107N20N3GATMA1 - 

Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPB107N20N3GATMA1

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Referencia del fabricante:
IPB107N20N3GATMA1
Código Farnell:
2432725RL
También conocido como:
IPB107N20N3 G , SP000676406
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
-
:
300W
:
3V
:
TO-263
:
200V
:
10V
:
175°C
:
0.0096ohm
:
88A
:
Canal N
:
3Pines
:
-
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Resumen del producto

The IPB107N20N3 G is a 200V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
  • Highest efficiency
  • Highest power density
  • Lowest board space consumption
  • Minimal device paralleling required
  • System cost improvement
  • Environmentally-friendly
  • Easy to design in

Aplicaciones

Administración de Potencia, Control de Motor, Iluminación, Industrial, Audio, Iluminación LED

También conocido como

IPB107N20N3 G , SP000676406