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INFINEON  IPB107N20N3GATMA1  Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPB107N20N3GATMA1
Referencia del fabricante:
IPB107N20N3GATMA1
Código Farnell:
2432725RL
También conocido como
IPB107N20N3 G , SP000676406
Hoja de datos técnicos:
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Resumen del producto

The IPB107N20N3 G is a 200V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
  • Highest efficiency
  • Highest power density
  • Lowest board space consumption
  • Minimal device paralleling required
  • System cost improvement
  • Environmentally-friendly
  • Easy to design in

Información del producto

Polaridad de Transistor:
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id:
88A
Tensión Drenador-Fuente (Vds):
200V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on):
0.0096ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3V
Disipación de Potencia Pd:
300W
Encapsulado del Transistor:
TO-263
Número de Pines:
3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (12-Jan-2017)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia
  • Control de Motor
  • Iluminación
  • Industrial
  • Audio
  • Iluminación LED

También conocido como

IPB107N20N3 G , SP000676406

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.00181