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INFINEON  IPB107N20N3 G  Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPB107N20N3 G
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Resumen del producto

The IPB107N20N3 G is a 200V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
  • Highest efficiency
  • Highest power density
  • Lowest board space consumption
  • Minimal device paralleling required
  • System cost improvement
  • Environmentally-friendly
  • Easy to design in

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
88A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
200V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.0096ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3V
Disipación de Potencia Pd:
300W
Diseño de Transistor:
TO-263
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
175°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Control de Motor;
  • Iluminación;
  • Industrial;
  • Audio;
  • Iluminación LED

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.00181