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INFINEON  IPA65R190C7XKSA1  MOSFET de Potencia, Canal N, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

INFINEON IPA65R190C7XKSA1
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Resumen del producto

The IPA65R190C7 is a N-channel power MOSFET with 650VDS drain source voltage. Infineon's new CoolMOS™ C7 series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS (ON) and thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
  • Revolutionary Best-in-class RDS (ON)
  • Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
  • Lower gate charge Qg
  • Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
  • Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
  • Lowest conduction losses/package
  • Low switching losses
  • Better light load efficiency
  • Increasing power density
  • Outstanding CoolMOS™ quality

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
8A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
650V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.168ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3.5V
Disipación de Potencia Pd:
30W
Diseño de Transistor:
TO-220FP
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Comunicaciones y Red;
  • Industrial;
  • Energía Alternativa

También conocido como

IPA65R190C7 , SP001080140

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000006