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INFINEON  FD650R17IE4  Transistor IGBT Arrays y Módulos, Alta Potencia, Canal N, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module

INFINEON FD650R17IE4
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Corriente de Colector DC:
650A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on):
2V
Disipación de Potencia Pd:
4.15kW
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
1.7kV
Diseño de Transistor:
Module
Núm. de Contactos Macho:
10Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Germany

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85413000
Peso (kg):
.825

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