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INFINEON  BSS308PEH6327XTSA1  Transistor MOSFET, Canal P, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON BSS308PEH6327XTSA1
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Resumen del producto

The BSS308PE H6327 is an OptiMOS™ P3 P-channel Small Signal Transistor with enhancement mode and logic level (4.5V rated).
  • ±20V Gate-source voltage
  • 260°C Soldering temperature
  • AEC-Q101 Qualified
  • ESD protection

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:
-2A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
-30V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.062ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-1.5V
Disipación de Potencia Pd:
500mW
Diseño de Transistor:
SOT-23
Núm. de Contactos Macho:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Automoción;
  • Electrónica de Consumo;
  • Control de Motor

También conocido como

BSS308PE H6327 , SP000928942

Legislación y medioambiente

País de origen:
Malaysia

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412100
Peso (kg):
.000006