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FUJITSU  MB85R1001ANC-GE1  FRAM, 1M, PARALLEL, 3V, 48TSOP

FUJITSU MB85R1001ANC-GE1
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Resumen del producto

The MB85R1001ANC-GE1 is a 1MB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip consisting of 131072 words x 8-bit of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R1001A is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R1001A can be used for 10¹⁰ read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E²PROM. The MB85R1001A uses a pseudo-SRAM interface that is compatible with conventional asynchronous SRAM.
  • Operating power supply voltage - 3 to 3.6V
  • Data retention - 10 years
  • Input rising/falling time - 5ns
  • Input/output evaluation level - 2/0.8V
  • Output impedance - 50pF

Información del producto

Tamaño de la Memoria:
1Mbit
Configuración Memoria NVRAM:
128K x 8bit
Tensión de Alimentación Mín.:
3V
Tensión de Alimentación Máx.:
3.6V
Memoria, Tipo:
TSOP
Núm. de Contactos Macho:
48Pines
Tipo de Interfaz IC:
Paralelo
Tiempo de Acceso:
100ns
Temperatura de Trabajo Mín.:
-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.:
85°C
Encapsulado:
Individual
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 3 - 168 horas

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Aplicaciones

  • Computers & Computer Peripherals;
  • Industrial

Legislación y medioambiente

País de origen:
Japan

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85423290
Peso (kg):
.002714