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FUJITSU  MB85R1001ANC-GE1  NVRAM, FRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, Paralelo, 100 ns, TSOP

FUJITSU MB85R1001ANC-GE1
Fabricante:
FUJITSU FUJITSU
Referencia del fabricante:
MB85R1001ANC-GE1
Código Farnell:
2070264
Hoja de datos técnicos:
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Resumen del producto

The MB85R1001ANC-GE1 is a 1MB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip consisting of 131072 words x 8-bit of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R1001A is able to retain ...
  • Operating power supply voltage - 3 to 3.6V
  • Data retention - 10 years
  • Input rising/falling time - 5ns
  • Input/output evaluation level - 2/0.8V
  • Output impedance - 50pF

Información del producto

Memoria, Tipo:
FRAM
Tamaño de la Memoria:
1Mbit
Configuración Memoria NVRAM:
128K x 8bit
Tipo de Interfaz IC:
Paralelo
Tiempo de Acceso:
100ns
Memoria, Tipo:
TSOP
Núm. de Contactos Macho:
48Pines
Tensión de Alimentación Mín.:
3V
Tensión de Alimentación Máx.:
3.6V
Temperatura de Trabajo Mín.:
-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.:
85°C
Encapsulado:
Individual
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 3 - 168 horas

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Aplicaciones

  • Computers & Computer Peripherals;
  • Industrial

Legislación y medioambiente

País de origen:
Japan

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85423290
Peso (kg):
.002714