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FUJI ELECTRIC  7MBP25RA-120-55  Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 2.6 V, 198 W, 1.2 kV, Module

FUJI ELECTRIC 7MBP25RA-120-55
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Corriente de Colector DC:
25A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on):
2.6V
Disipación de Potencia Pd:
198W
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
1.2kV
Diseño de Transistor:
Module
Núm. de Contactos Macho:
22Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
100°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised

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Legislación y medioambiente

País de origen:
Japan

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85413000
Peso (kg):
.44

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