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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8960C.  DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 35V, SOIC

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8960C.
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id:
7A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):
35V
Resistencia en Estado ON (Rds):
0.024ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
2V
Disipación de Potencia Pd:
2W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos Macho:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Estándar de Certificación para Automoción:
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (15-Jun-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

País de origen:
China

País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción

Conforme a RoHS:
N.º de tarifa
85412900
Peso (kg):
.000218

Alternativas

MOSFET Doble, Canal N y P, 6.2 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Cinta
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Precio para: Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

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