Semiconductores - Discretos

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Polaridad de Transistor Corriente de Drenaje Continua Id Tensión Drenador-Fuente (Vds) Resistencia en Estado Conductor Rds(on) Tensión Vgs de Prueba Rds(on) Tensión Umbral Vgs Disipación de Potencia Pd Encapsulado del Transistor Número de Pines Temperatura de Funcionamiento Máx. Rango de Producto Estándar de Certificación para Automoción
 
 
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SUP75P03-07-E3
SUP75P03-07-E3 - Transistor MOSFET, Canal P, -75 A, -30 V, 5.5 mohm, -10 V, -1 V

1794812

VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -75 A, -30 V, 5.5 mohm, -10 V, -1 V

Polaridad de Transistor Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id -75A
Tensión Drenador-Fuente (Vds) -30V

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VISHAY 

Transistor MOSFET, Canal P, -75 A, -30 V, 5.5 mohm, -10 V, -1 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -75A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -30V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0055ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -1V
    Disipación de Potencia Pd 187W
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    19

    1+ 2,12 € Precio para 10+ 1,96 € Precio para 100+ 1,69 € Precio para 250+ 1,65 € Precio para 500+ 1,60 € Precio para 1000+ 1,56 € Precio para Más precios...

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    Canal P -75A -30V 0.0055ohm -10V -1V 187W TO-220AB 3Pines 175°C - -
    IRFB4227PBF
    IRFB4227PBF - Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V

    1298536

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 65A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V

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    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 65A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0197ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 5V
    Disipación de Potencia Pd 330W
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
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    Canal N 65A 200V 0.0197ohm 10V 5V 330W TO-220AB 3Pines 175°C - -
    IRG4PC30UPBF
    IRG4PC30UPBF - Transistor Único IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    8650500

    INFINEON - Transistor Único IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 100W
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Número de Pines 3Pines

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    INFINEON 

    Transistor Único IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 100W
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    156

    1+ 2,73 € Precio para 10+ 2,05 € Precio para 100+ 1,77 € Precio para 250+ 1,68 € Precio para 500+ 1,52 € Precio para 1000+ 1,18 € Precio para Más precios...

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    - - - - - - 100W TO-247AC 3Pines 150°C - -
    ULN2003AD
    ULN2003AD - Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, SOIC

    1651927

    TEXAS INSTRUMENTS - Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, SOIC

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 25W
    Encapsulado del Transistor SOIC

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    TEXAS INSTRUMENTS 

    Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 25 W, 500 mA, 600 hFE, SOIC

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 25W
    Encapsulado del Transistor SOIC
    Número de Pines 16Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 70°C
    Rango de Producto ULN200x, ULQ200x
    Estándar de Certificación para Automoción -

    18.848

    5+ 0,518 € Precio para 25+ 0,482 € Precio para 100+ 0,295 € Precio para 250+ 0,268 € Precio para 500+ 0,241 € Precio para 1000+ 0,214 € Precio para 5000+ 0,20 € Precio para Más precios...

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    5+ 0,518 € 25+ 0,482 € 100+ 0,295 € 250+ 0,268 € 500+ 0,241 € 1000+ 0,214 € 5000+ 0,20 € Más precios...

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    NPN - - - - - 25W SOIC 16Pines 70°C ULN200x, ULQ200x -
    MUR3060
    MUR3060 - Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 30 A, Único, 1.7 V, 50 ns, 300 A

    2675083

    MULTICOMP - Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 30 A, Único, 1.7 V, 50 ns, 300 A

    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C

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    MULTICOMP 

    Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 30 A, Único, 1.7 V, 50 ns, 300 A

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines -
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    248

    5+ 1,17 € Precio para 25+ 0,952 € Precio para 100+ 0,918 € Precio para 250+ 0,849 € Precio para 500+ 0,838 € Precio para 1000+ 0,734 € Precio para Más precios...

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    5+ 1,17 € 25+ 0,952 € 100+ 0,918 € 250+ 0,849 € 500+ 0,838 € 1000+ 0,734 € Más precios...

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    - - - - - - - - - 150°C - -
    MMBTA06LT1G
    MMBTA06LT1G - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 80 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFE

    9555897

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 80 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 225mW
    Encapsulado del Transistor SOT-23

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 80 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 225mW
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto MMBTxxxx Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    23.586

    5+ 0,169 € Precio para 50+ 0,0593 € Precio para 250+ 0,0546 € Precio para 500+ 0,0345 € Precio para 1500+ 0,0343 € Precio para

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    Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)

    Cinta
    Opciones de embalaje
    Sustitución recomendada para:9555897
    9555897RL en Re-reeling
    2317805 en Reel

    5+ 0,169 € 50+ 0,0593 € 250+ 0,0546 € 500+ 0,0345 € 1500+ 0,0343 €

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    Min: 5 Mult: 5
    NPN - - - - - 225mW SOT-23 3Pines 150°C MMBTxxxx Series AEC-Q101
    IRG4PC40FDPBF
    IRG4PC40FDPBF - Transistor Único IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    8650527

    INFINEON - Transistor Único IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 160W
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Número de Pines 3Pines

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    INFINEON 

    Transistor Único IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 160W
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    80

    1+ 4,82 € Precio para 10+ 3,69 € Precio para 100+ 3,19 € Precio para 250+ 3,03 € Precio para 500+ 2,72 € Precio para 1000+ 2,18 € Precio para Más precios...

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    - - - - - - 160W TO-247AC 3Pines 150°C - -
    IRGB4056DPBF
    IRGB4056DPBF - Transistor Único IGBT, 24 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-220, 3 Pines

    1298578

    INFINEON - Transistor Único IGBT, 24 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-220, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 140W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines

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    INFINEON 

    Transistor Único IGBT, 24 A, 1.55 V, 140 W, 600 V, TO-220, 3 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 140W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    87

    1+ 2,63 € Precio para 10+ 1,87 € Precio para 100+ 1,84 € Precio para 250+ 1,81 € Precio para 500+ 1,78 € Precio para 1000+ 1,75 € Precio para Más precios...

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    - - - - - - 140W TO-220 3Pines 175°C - -
    IRGP4066DPBF
    IRGP4066DPBF - Transistor Único IGBT, 75 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    1907932

    INFINEON - Transistor Único IGBT, 75 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 454W
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Número de Pines 3Pines

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    INFINEON 

    Transistor Único IGBT, 75 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 454W
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    392

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    - - - - - - 454W TO-247AC 3Pines 175°C - -
    SQM40031EL_GE3
    SQM40031EL_GE3 - Transistor MOSFET, Canal P, -120 A, -40 V, 0.0025 ohm, -10 V, -2 V

    2708324

    VISHAY - Transistor MOSFET, Canal P, -120 A, -40 V, 0.0025 ohm, -10 V, -2 V

    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -120A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -40V

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    VISHAY 

    Transistor MOSFET, Canal P, -120 A, -40 V, 0.0025 ohm, -10 V, -2 V

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    Polaridad de Transistor Canal P
    Corriente de Drenaje Continua Id -120A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -40V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0025ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -10V
    Tensión Umbral Vgs -2V
    Disipación de Potencia Pd 375W
    Encapsulado del Transistor TO-263
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto TrenchFET Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    745

    1+ 3,11 € Precio para 10+ 2,50 € Precio para 100+ 2,01 € Precio para 250+ 1,97 € Precio para 500+ 1,93 € Precio para 1000+ 1,89 € Precio para Más precios...

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    Canal P -120A -40V 0.0025ohm -10V -2V 375W TO-263 3Pines 175°C TrenchFET Series AEC-Q101
    2N5401
    2N5401 - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 150 V, 0.625 W, 600 mA, 50 hFE

    1862542

    MULTICOMP - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 150 V, 0.625 W, 600 mA, 50 hFE

    Polaridad de Transistor PNP
    Disipación de Potencia Pd 625mW
    Encapsulado del Transistor TO-92

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    MULTICOMP 

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 150 V, 0.625 W, 600 mA, 50 hFE

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    Polaridad de Transistor PNP
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 625mW
    Encapsulado del Transistor TO-92
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 70°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    3.193

    5+ 0,20 € Precio para 25+ 0,184 € Precio para 100+ 0,136 € Precio para 250+ 0,12 € Precio para 500+ 0,112 € Precio para 1000+ 0,0993 € Precio para 5000+ 0,0895 € Precio para Más precios...

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    PNP - - - - - 625mW TO-92 3Pines 70°C - -
    TIP142.
    TIP142. - Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE

    1653637

    STMICROELECTRONICS - Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 125W
    Encapsulado del Transistor TO-247

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    STMICROELECTRONICS 

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 125W
    Encapsulado del Transistor TO-247
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    2.007

    5+ 0,861 € Precio para 25+ 0,777 € Precio para 100+ 0,66 € Precio para 250+ 0,621 € Precio para 500+ 0,582 € Precio para 1000+ 0,569 € Precio para 5000+ 0,556 € Precio para Más precios...

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    5+ 0,861 € 25+ 0,777 € 100+ 0,66 € 250+ 0,621 € 500+ 0,582 € 1000+ 0,569 € 5000+ 0,556 € Más precios...

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    NPN - - - - - 125W TO-247 3Pines 150°C - -
    BC856B
    BC856B - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE

    1798065

    MULTICOMP - Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE

    Polaridad de Transistor PNP
    Disipación de Potencia Pd 250mW
    Encapsulado del Transistor SOT-23

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    MULTICOMP 

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE

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    Polaridad de Transistor PNP
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 250mW
    Encapsulado del Transistor SOT-23
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    5.314

    5+ 0,0686 € Precio para 25+ 0,0573 € Precio para 100+ 0,0506 € Precio para 250+ 0,0445 € Precio para 500+ 0,0428 € Precio para 1000+ 0,0419 € Precio para 5000+ 0,0416 € Precio para Más precios...

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    PNP - - - - - 250mW SOT-23 3Pines 150°C - -
    VS-15MQ040NTRPBF
    VS-15MQ040NTRPBF - Rectificador Schottky, 40 V, 1.5 A, Único, DO-214AC, 2 Pines, 490 mV

    1463215

    VISHAY - Rectificador Schottky, 40 V, 1.5 A, Único, DO-214AC, 2 Pines, 490 mV

    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto VS-15 Series

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    VISHAY 

    Rectificador Schottky, 40 V, 1.5 A, Único, DO-214AC, 2 Pines, 490 mV

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto VS-15 Series
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    110.322

    5+ 0,498 € Precio para 25+ 0,465 € Precio para 100+ 0,334 € Precio para 250+ 0,319 € Precio para 500+ 0,304 € Precio para 1000+ 0,28 € Precio para 5000+ 0,274 € Precio para Más precios...

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    5+ 0,498 € 25+ 0,465 € 100+ 0,334 € 250+ 0,319 € 500+ 0,304 € 1000+ 0,28 € 5000+ 0,274 € Más precios...

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    - - - - - - - - 2Pines 150°C VS-15 Series -
    IXGA30N120B3
    IXGA30N120B3 - Transistor Único IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pines

    1829739

    IXYS SEMICONDUCTOR - Transistor Único IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 300W
    Encapsulado del Transistor TO-263
    Número de Pines 3Pines

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    IXYS SEMICONDUCTOR 

    Transistor Único IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 300W
    Encapsulado del Transistor TO-263
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

    4

    1+ 5,59 € Precio para 10+ 4,29 € Precio para 100+ 3,72 € Precio para 250+ 3,52 € Precio para 500+ 3,16 € Precio para 1000+ 2,76 € Precio para Más precios...

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    1+ 5,59 € 10+ 4,29 € 100+ 3,72 € 250+ 3,52 € 500+ 3,16 € 1000+ 2,76 € Más precios...

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    - - - - - - 300W TO-263 3Pines 150°C - -
    BC846BWT1G
    BC846BWT1G - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 65 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

    1653606

    ON SEMICONDUCTOR - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 65 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 150mW
    Encapsulado del Transistor SOT-323

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 65 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

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    758 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 2 estará disponible para su entrega el 08-ago-2018
  • 17.998 estará disponible para su entrega el 17-jul-2018
  • Tendremos más stock disponible la semana del 27/08/18

    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 150mW
    Encapsulado del Transistor SOT-323
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BCxxx Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    758

    5+ 0,103 € Precio para 50+ 0,0368 € Precio para 250+ 0,0349 € Precio para 500+ 0,0225 € Precio para 1500+ 0,0212 € Precio para

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    758 disponibles para entrega el siguiente día laborable (Liege stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 2 estará disponible para su entrega el 08-ago-2018
  • 17.998 estará disponible para su entrega el 17-jul-2018
  • Tendremos más stock disponible la semana del 27/08/18

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    5+ 0,103 € 50+ 0,0368 € 250+ 0,0349 € 500+ 0,0225 € 1500+ 0,0212 €

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    NPN - - - - - 150mW SOT-323 3Pines 150°C BCxxx Series AEC-Q101
    STP16NF06L
    STP16NF06L - Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

    9803068

    STMICROELECTRONICS - Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 16A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V

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    STMICROELECTRONICS 

    Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

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    530 disponibles para entrega el siguiente día laborable (UK stock): 00 (para re-reeling antes de las 17:30) de lunes a viernes (excepto los días festivos)

  • 2.195 estará disponible para su entrega el 13-jul-2018
  • 1.605 estará disponible para su entrega el 28-sep-2018
  • Tendremos más stock disponible la semana del 17/12/18

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 16A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.07ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 1V
    Disipación de Potencia Pd 45W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto -
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    530

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    Canal N 16A 60V 0.07ohm 10V 1V 45W TO-220 3Pines 175°C - -
    IRFB3077PBF
    IRFB3077PBF - Transistor MOSFET, Canal N, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V

    1298539

    INFINEON - Transistor MOSFET, Canal N, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 210A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 75V

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    INFINEON 

    Transistor MOSFET, Canal N, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 210A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 75V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.0033ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 370W
    Encapsulado del Transistor TO-220AB
    Número de Pines 3Pines
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    Canal N 210A 75V 0.0033ohm 10V 4V 370W TO-220AB 3Pines 175°C - -
    IRG4PC40KDPBF
    IRG4PC40KDPBF - Transistor Único IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    8650535

    INFINEON - Transistor Único IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 160W
    Encapsulado del Transistor TO-247AC
    Número de Pines 3Pines

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    INFINEON 

    Transistor Único IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pines

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    - - - - - - 160W TO-247AC 3Pines 150°C - -
    IRGB4062DPBF
    IRGB4062DPBF - Transistor Único IGBT, 48 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-220, 3 Pines

    1298582

    INFINEON - Transistor Único IGBT, 48 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-220, 3 Pines

    Disipación de Potencia Pd 250W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines

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    INFINEON 

    Transistor Único IGBT, 48 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-220, 3 Pines

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
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    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines
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    - - - - - - 250W TO-220 3Pines 175°C - -
    2N5551
    2N5551 - Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE

    1862543

    MULTICOMP - Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 625mW
    Encapsulado del Transistor TO-92

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    MULTICOMP 

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 625mW
    Encapsulado del Transistor TO-92
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    NPN - - - - - 625mW TO-92 3Pines 150°C - -
    1N4734A
    1N4734A - Diodo Zener Simple, Serie 1n47xx, 5.6 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 Pines, 200 °C

    1861448

    MULTICOMP - Diodo Zener Simple, Serie 1n47xx, 5.6 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 Pines, 200 °C

    Disipación de Potencia Pd 1W
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C

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    MULTICOMP 

    Diodo Zener Simple, Serie 1n47xx, 5.6 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 Pines, 200 °C

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 1W
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines 2Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 200°C
    Rango de Producto 1N47xxA Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

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    - - - - - - 1W - 2Pines 200°C 1N47xxA Series -
    BAW56LT3G
    BAW56LT3G - Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Anodo Común Doble, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    2535688

    ON SEMICONDUCTOR - Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Anodo Común Doble, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BAW56 Series

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo de Señal Pequeña, AEC-Q101, Anodo Común Doble, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

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    Polaridad de Transistor -
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Encapsulado del Transistor -
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto BAW56 Series
    Estándar de Certificación para Automoción AEC-Q101

    24.824

    5+ 0,0854 € Precio para 25+ 0,0846 € Precio para 100+ 0,0299 € Precio para 250+ 0,0291 € Precio para 500+ 0,0275 € Precio para 1000+ 0,0138 € Precio para 5000+ 0,0112 € Precio para Más precios...

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    - - - - - - - - 3Pines 150°C BAW56 Series AEC-Q101
    IRFR15N20DTRPBF
    IRFR15N20DTRPBF - Transistor MOSFET, SMPS, Canal N, 17 A, 200 V, 0.165 ohm, 10 V, 5.5 V

    2803420

    INFINEON - Transistor MOSFET, SMPS, Canal N, 17 A, 200 V, 0.165 ohm, 10 V, 5.5 V

    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 17A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V

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    INFINEON 

    Transistor MOSFET, SMPS, Canal N, 17 A, 200 V, 0.165 ohm, 10 V, 5.5 V

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    Polaridad de Transistor Canal N
    Corriente de Drenaje Continua Id 17A
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200V
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) 0.165ohm
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 5.5V
    Disipación de Potencia Pd 140W
    Encapsulado del Transistor TO-252
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
    Rango de Producto HEXFET Series
    Estándar de Certificación para Automoción -

    5.705

    5+ 1,30 € Precio para 25+ 1,18 € Precio para 100+ 0,933 € Precio para 250+ 0,829 € Precio para 500+ 0,724 € Precio para 1000+ 0,518 € Precio para 5000+ 0,508 € Precio para Más precios...

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    5+ 1,30 € 25+ 1,18 € 100+ 0,933 € 250+ 0,829 € 500+ 0,724 € 1000+ 0,518 € 5000+ 0,508 € Más precios...

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    Canal N 17A 200V 0.165ohm 10V 5.5V 140W TO-252 3Pines 175°C HEXFET Series -
    TIP41C
    TIP41C - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 15 hFE

    1574341

    MULTICOMP - Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 15 hFE

    Polaridad de Transistor NPN
    Disipación de Potencia Pd 65W
    Encapsulado del Transistor TO-220

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    MULTICOMP 

    Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 15 hFE

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    Polaridad de Transistor NPN
    Corriente de Drenaje Continua Id -
    Tensión Drenador-Fuente (Vds) -
    Resistencia en Estado Conductor Rds(on) -
    Tensión Vgs de Prueba Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 65W
    Encapsulado del Transistor TO-220
    Número de Pines 3Pines
    Temperatura de Funcionamiento Máx. 150°C
    Rango de Producto -
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    5.154

    5+ 0,462 € Precio para 25+ 0,43 € Precio para 100+ 0,40 € Precio para 250+ 0,373 € Precio para 500+ 0,35 € Precio para 1000+ 0,298 € Precio para 5000+ 0,253 € Precio para Más precios...

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