Semiconductores - Discretos

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2N2222A
2N2222A

9207120

MULTICOMP

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.2 W, 800 mA, 30 hFE

TRANSISTOR, NPN, 40V, 800MA, TO-18; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:40V; Frecuencia de Transición ft:300MHz; Disipación de Potencia Pd:1.2W; Corriente de Colector DC:800mA; Ganancia de Corriente DC hFE:30hFE; Diseño de Transis

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BSS84PH6327XTSA2
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1056526

INFINEON

Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

MOSFET, P, -60V, -0.17A, SOT-23; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-170mA; Tensión Drenador/Fuente (Vds):-60V; Resistencia en Estado ON (Rds):8ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-1.5V; Disipación de

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    1N4007
    1N4007

    9565051

    MULTICOMP

    Diodo de Potencia Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 2.5 V, 30 A

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    DIODO, STANDARD, 1A, 1000V, DO-41; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:1kV; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:2.5V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:30A

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    1N4148
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    2677463

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    DIODO PEQUEÑA SEÑAL 100V 0.15A, DO-204AH; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria If

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    LL4148+
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    2675154

    MULTICOMP

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 150 mA, 2.5 V, 4 ns, 500 mA

    DIODO PEQUEÑA SEÑAL 100V 0.15A SOD-123F; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:2.5V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria I

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    2N3904
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    1574370

    MULTICOMP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 300 hFE

    TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:40V; Frecuencia de Transición ft:300MHz; Disipación de Potencia Pd:625mW; Corriente de Colector DC:200mA; Ganancia de Corriente DC hFE:300hFE; Diseño de Transistor:TO-92;

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    1N4004
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    9565027

    MULTICOMP

    Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    DIODE, STANDARD, 1A, 400V,DO-41; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:400V; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:1.1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:30A;

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    1N5408
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    9565108

    MULTICOMP

    Diodo de Potencia Estándar, 1 kV, 3 A, Único, 1.2 V, 200 A

    Disponible hasta que se agoten las existencias

    DIODO, STANDARD, 3A, 1000V; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:1kV; Corriente Directa If(AV):3A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:1.2V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:200A; Temp

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    PMZ550UNE
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    2498596

    NEXPERIA

    Transistor MOSFET, Canal N, 590 mA, 30 V, 0.55 ohm, 4.5 V, 700 mV

    MOSFET, CAN N, 30V, 0.59A, SOT883-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:590mA; Tensión Drenador/Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado ON (Rds):0.55ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:700mV; Disipaci

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    1N4007G
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    2677362

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Potencia Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1 V, 30 A

    RECTIFICADOR, SIMPLE, 1KV, 1A, DO-204AL; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:1kV; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.

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    MBR0540T1G
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    9556923

    ON SEMICONDUCTOR

    Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-123, 2 Pines, 510 mV

    DIODE, SCHOTTKY, 0.5A, 40V, SOD-123; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:40V; Corriente Directa If(AV):500mA; Configuración de Diodo:Único; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-123; Núm. de Contactos Macho:2Pines; Tensión Directa VF Máx.:510mV; Corriente

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    2317654 en Reel

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    TSM2314CX
    TSM2314CX

    1864589

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Transistor MOSFET, Canal N, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV

    MOSFET, N CH, 20V, 4.9A, SOT23; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4.9A; Tensión Drenador/Fuente (Vds):20V; Resistencia en Estado ON (Rds):0.027ohm; Tensión Vgs de Medición Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:850mV; Disipación de

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    BAV99
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    2677468

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Señal Pequeña, Serie doble, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    DIODO PEQUEÑA SEÑAL, 70V, 0.2A, SOT-23; Configuración de Diodo:Serie doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:70V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:6ns; Corriente Directa Transito

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    BZT03C15-TR
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    9398317

    VISHAY

    Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 15 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    DIODO, ZENER, 15V, 3,25 W; Tensión Zener Vz Típ.:15V; Disipación de Potencia Pd:3.25W; Estilo de la Carcasa del Diodo:SOD-57; Tolerancia Zener ±:5%; Núm. de Contactos Macho:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:175°C; Encapsulado:Individual; Rango de Produ

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    BAV99W,115
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    1081212

    NEXPERIA

    Diodo de Señal Pequeña, Serie doble, 100 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

    DIODE, DUAL, 0.15A, 100V, SOT-323; Configuración de Diodo:Serie doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria

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    2319289 en Reel

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    BC817-40
    BC817-40

    1798081

    MULTICOMP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 170 MHz, 300 mW, 500 mA, 250 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 45V, SOT23; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:45V; Frecuencia de Transición ft:170MHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:500mA; Ganancia de Corriente DC hFE:250hFE; Diseño de Transi

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    BC182L
    BC182L

    1574376

    MULTICOMP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 150 MHz, 350 mW, 100 mA, 125 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, TO-92; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:50V; Frecuencia de Transición ft:150MHz; Disipación de Potencia Pd:350mW; Corriente de Colector DC:100mA; Ganancia de Corriente DC hFE:125hFE; Diseño de Transi

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    BC337
    BC337

    1574379

    MULTICOMP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 400 hFE

    TRANSISTOR, NPN,45V, 500MA, TO-92; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:45V; Frecuencia de Transición ft:100MHz; Disipación de Potencia Pd:625mW; Corriente de Colector DC:500mA; Ganancia de Corriente DC hFE:400hFE; Diseño de Transi

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    BZX55C2V7-TAP
    BZX55C2V7-TAP

    2690040

    VISHAY

    Diodo Zener Simple, 2.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    DIODO ZENER, AEC-Q101, 0.5W, 2,7V, DO-35; Tensión Zener Vz Típ.:2.7V; Disipación de Potencia Pd:500mW; Estilo de la Carcasa del Diodo:DO-35; Tolerancia Zener ±:5%; Núm. de Contactos Macho:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:175°C; Encapsulado:Individual;

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    1N4151TR
    1N4151TR

    2689968

    VISHAY

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    DIODO PEQUEÑA SEÑAL AEC-Q101 SIMPLE 75V; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:75V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm

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    BZX55C16-TAP
    BZX55C16-TAP

    2690038

    VISHAY

    Diodo Zener Simple, 16 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    DIODO ZENER, AEC-Q101, 0.5W, 16V, DO-35; Tensión Zener Vz Típ.:16V; Disipación de Potencia Pd:500mW; Estilo de la Carcasa del Diodo:DO-35; Tolerancia Zener ±:5%; Núm. de Contactos Macho:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:175°C; Encapsulado:Individual; R

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    TS4148 RYG
    TS4148 RYG

    2708389

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    DIODO, PEQUEÑA SEÑAL, 75V, 0.15A, 0805; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:75V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm

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    VISHAY

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C

    DIODO, SCHOTTKY, AEC-Q101, SIMPLE, 30V; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:800mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:5A; Temperatura de Trabajo Máx.:125°C;

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    1779204

    VISHAY

    Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 12 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    DIODE, ZENER, 12V, 0.5W, DO-35; Tensión Zener Vz Típ.:12V; Disipación de Potencia Pd:500mW; Estilo de la Carcasa del Diodo:DO-35; Tolerancia Zener ±:5%; Núm. de Contactos Macho:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:175°C; Encapsulado:Individual; Rango de P

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    1574381

    MULTICOMP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 300 MHz, 625 mW, 100 mA, 200 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 45 V, 100MA, TO-92; Transistor, Polaridad:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:45V; Frecuencia de Transición ft:300MHz; Disipación de Potencia Pd:625mW; Corriente de Colector DC:100mA; Ganancia de Corriente DC hFE:200hFE; Diseño de Tran

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