Semiconductores - Discretos

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1N4148WS.
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1466524

MULTICOMP

Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 350 mA

DIODO, ALTA VELO, 100V, 0,15A, SOD323; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm M

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2N2222A
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9207120

MULTICOMP

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.2 W, 800 mA, 30 hFE

TRANSISTOR, NPN, 40V, 800MA, TO-18; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo:40V; Frecuencia de Transición ft:300MHz; Disipación de Potencia Pd:1.2W; Corriente de Colector DC:800mA; Ganancia de Corriente DC hFE:30hFE; Encapsulad

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LL4148
LL4148

7355513

MULTICOMP

Diodo de Señal Pequeña, Conmutación, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

Disponible hasta que se agoten las existencias

DIODO, PEQUEÑA SEÑAL, 100V, 0,2A, SMD; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inversa trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm Má

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1N4007
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9565051

MULTICOMP

Diodo de Potencia Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 2.5 V, 30 A

Disponible hasta que se agoten las existencias

DIODO, STANDARD, 1A, 1000V, DO-41; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:1kV; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:2.5V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:30A;

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1N4148W-7-F.
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1776392

DIODES INC.

Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A

DIODO, INTERRUPTOR, 300MA, 100V, SOD123; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):300mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria I

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    1N4148
    1N4148

    2677463

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    DIODO PEQUEÑA SEÑAL 100V 0.15A, DO-204AH; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inversa trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm

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    LL4148+
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    2675154

    MULTICOMP

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 150 mA, 2.5 V, 4 ns, 500 mA

    DIODO PEQUEÑA SEÑAL 100V 0.15A SOD-123F; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:2.5V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria If

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    BSS84PH6327XTSA2
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    1056526

    INFINEON

    Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

    MOSFET, P, -60V, -0.17A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-170mA; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):8ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:-1.5V; Dis

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    1N4007G
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    2677362

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Potencia Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1 V, 30 A

    RECTIFICADOR, SIMPLE, 1KV, 1A, DO-204AL; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:1kV; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:

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    BAS386
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    1469396

    VISHAY

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 50 V, 200 mA, 900 mV, 5 A, 125 °C

    DIODO, SCHOTTKY, 0,2A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:50V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:900mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:5A; Temperatura de Trabajo Máx.:125°C; Estilo de la Carc

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    MMBT3904-7-F
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    1773602

    DIODES INC.

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 100 hFE

    TRANSISTOR, NPN, SOT23; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:40V; Frecuencia de Transición ft:300MHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:200mA; Ganancia de Corriente DC hFE:100hFE; Encapsulado del Transisto

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    BAV99
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    2677468

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Señal Pequeña, Serie doble, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

    DIODO PEQUEÑA SEÑAL, 70V, 0.2A, SOT-23; Configuración de Diodo:Serie doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:70V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:6ns; Corriente Directa Transitor

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    BAV99W,115
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    1081212

    NEXPERIA

    Diodo de Señal Pequeña, Serie doble, 100 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

    DIODE, DUAL, 0.15A, 100V, SOT-323; Configuración de Diodo:Serie doble; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:100V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1.25V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria I

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    2319289 en Reel

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    BZX55C5V1-TAP
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    1779203

    VISHAY

    Diodo Zener Simple, AEC-Q101, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    DIODE, ZENER, 500MW, 5.1V, DO-35; Tensión Zener Vz Típ.:5.1V; Disipación de Potencia Pd:500mW; Encapsulado del Diodo:DO-35; Tolerancia Zener ±:5%; Número de Pines:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:175°C; Empaquetado:Individual; Rango de Producto:Serie

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    MMBT3906-7-F
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    1773629

    DIODES INC.

    Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -40 V, 250 MHz, 300 mW, -200 mA, 100 hFE

    TRANSISTOR, PNP, SOT23; Polaridad de Transistor:PNP; Tensión Colector Emisor V(br)ceo:-40V; Frecuencia de Transición ft:250MHz; Disipación de Potencia Pd:300mW; Corriente de Colector DC:-200mA; Ganancia de Corriente DC hFE:100hFE; Encapsulado del Transis

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    BZX55C2V7-TAP
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    2690040

    VISHAY

    Diodo Zener Simple, 2.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    DIODO ZENER, AEC-Q101, 0.5W, 2,7V, DO-35; Tensión Zener Vz Típ.:2.7V; Disipación de Potencia Pd:500mW; Estilo de la Carcasa del Diodo:DO-35; Tolerancia Zener ±:5%; Número de Pines:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:175°C; Empaquetado:Individual; Rango d

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    BZX55C16-TAP
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    2690038

    VISHAY

    Diodo Zener Simple, 16 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pines, 175 °C

    DIODO ZENER, AEC-Q101, 0.5W, 16V, DO-35; Tensión Zener Vz Típ.:16V; Disipación de Potencia Pd:500mW; Estilo de la Carcasa del Diodo:DO-35; Tolerancia Zener ±:5%; Número de Pines:2Pines; Temperatura de Trabajo Máx.:175°C; Empaquetado:Individual; Rango de

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    1N4007
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    1651091

    NTE ELECTRONICS

    Diodo de Potencia Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 480 mV, 30 A

    DIODO, POWER RECTIFIER, 1000V, DO-41; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:1kV; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:480mV; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:

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    2N2222
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    9206884

    MULTICOMP

    Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 30 V, 500 mW, 800 mA, 100 hFE

    TRANSISTOR, NPN, 30V, 800MA, TO-18; Polaridad de Transistor:NPN; Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo:30V; Frecuencia de Transición ft:-; Disipación de Potencia Pd:500mW; Corriente de Colector DC:800mA; Ganancia de Corriente DC hFE:100hFE; Encapsulado d

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    1N4007
    1N4007

    1467514

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

    Diodo de Potencia Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    DIODO, STANDARD, 1A, 1000V, DO-41; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:1kV; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:1.1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:-; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:30A;

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    TSM2314CX
    TSM2314CX

    1864589

    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Transistor MOSFET, Canal N, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV

    MOSFET, N CH, 20V, 4.9A, SOT23; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:4.9A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.027ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):4.5V; Tensión Umbral Vgs:850mV; Dis

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    VISHAY

    Diodo de Potencia Rápido/Ultrarápido, 600 V, 1 A, Único, 2.5 V, 30 ns, 30 A

    DIODE, ULTRAFAST, 1A, 600V; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:600V; Corriente Directa If(AV):1A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Directa VF Máx.:2.5V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:30ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:30A; Te

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    TAIWAN SEMICONDUCTOR

    Diodo de Señal Pequeña, Único, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

    DIODO, PEQUEÑA SEÑAL, 75V, 0.15A, 0805; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:75V; Corriente Directa If(AV):150mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:4ns; Corriente Directa Transitoria Ifsm M

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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, Único, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

    DIODE, SCHOTTKY, 0.2A, 30V, SOT-23; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:30V; Corriente Directa If(AV):200mA; Tensión Directa VF Máx.:800mV; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:600mA; Temperatura de Funcionamiento Máx.:1

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    VISHAY

    Diodo Schottky de Pequeña Señal, AEC-Q101, Único, 40 V, 30 mA, 1 V, 500 mA, 125 °C

    DIODO, SCHOTTKY, 0,03A; Configuración de Diodo:Único; Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.:40V; Corriente Directa If(AV):30mA; Tensión Directa VF Máx.:1V; Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:500mA; Temperatura de Trabajo Máx.:125°C; Estilo de la Carc

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