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SQ2362ES-T1_GE3
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2617102

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET, AUTO, CANAL N, 60V, 2.3A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:2.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.125ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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SQ3427AEEV-T1_GE3
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2617100

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V

MOSFET, AUTO, CANAL P, -60V, -5.3A, TSOP; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-5.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.079ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vg

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SI7540ADP-T1-GE3
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2707201

VISHAY

MOSFET Doble, Canal N y P, 8 A, 20 V, 0.0115 ohm, 4.5 V, 1.4 V

MOSFET CANAL N Y P, 20V, 8A, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N y P; Corriente de Drenaje Continua Id:8A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0115ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):4.5V; Tensión Umbral V

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SIRA24DP-T1-GE3
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2708304

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.1 V

MOSFET CANAL N, 25V, 60A, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:60A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):25V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.00115ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2.1

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SIRA90DP-T1-GE3
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2749593

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 0.00065 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET, CANAL N, 30V, 100A, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:100A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.00065ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:

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SISA24DN-T1-GE3
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2708306

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.1 V

MOSFET CANAL N, 25V, 60A, POWERPAK 1212; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:60A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):25V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.00115ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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SIZ926DT-T1-GE3
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2747682

VISHAY

MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 25 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.2 V

MOSFET CANAL N DOBLE, 60A, 25V; Polaridad de Transistor:Canal N Doble; Corriente de Drenaje Continua Id:60A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):25V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0038ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2.2V;

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SISA96DN-T1-GE3
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2708307

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2.2 V

MOSFET CANAL N, 30V, 16A, POWERPAK 1212; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:16A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):30V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0073ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2.

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SQJ431EP-T1_GE3
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2617107

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -200 V, 0.178 ohm, -10 V, -3 V

MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, -200V, -12A; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-12A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-200V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.178ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vgs:

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SQ2389ES-T1_GE3
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2617106

VISHAY

Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET, AUTO, CANAL N, 60V, 2.3A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:2.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.125ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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    SI4848DY-T1-GE3
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    2709456

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, CANAL N, 150V, 2.7A, NSOIC; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:2.7A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):150V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.068ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2V; Di

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    SQS481ENW-T1_GE3
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    2747689

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal P, -4.7 A, -150 V, 0.91 ohm, -10 V, -3 V

    MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, POWERPAK 1212; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-4.7A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-150V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.91ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-10V; Tensión Umbral Vg

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    SQJ158EP-T1_GE3
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    2708309

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 60 V, 0.0272 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET AEC-Q101 CANAL N 60V, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:23A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0272ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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    2708310

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -12 V, 0.0048 ohm, -4.5 V, -600 mV

    MOSFET, AUTO, CANAL P, -12V, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-60A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-12V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0048ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral V

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    SQJA90EP-T1_GE3
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    2708317

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 80 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET AEC-Q101 CANAL N 80V, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:60A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):80V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0063ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:3

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    SQJA62EP-T1_GE3
    SQJA62EP-T1_GE3

    2708314

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET AEC-Q101 CANAL N 60V, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:60A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0037ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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    SIRA20DP-T1-RE3
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    2708299

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 25 V, 0.00048 ohm, 10 V, 2.1 V

    MOSFET CANAL N, 25V, 100A, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:100A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):25V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.00048ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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    SQJ860EP-T1_GE3
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    2708311

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET AEC-Q101 CANAL N 40V, POWERPAK SO; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:60A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.005ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2V

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    SI3473CDV-T1-GE3
    SI3473CDV-T1-GE3

    2707200

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V

    MOSFET, CANAL P, -12V, -8A, TSOP; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:-8A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-12V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.016ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-1V; Di

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    SQ4080EY-T1_GE3
    SQ4080EY-T1_GE3

    2708308

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 150 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 150V, SOIC; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:18A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):150V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.07ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:3V; D

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    SQJQ100E-T1_GE3
    SQJQ100E-T1_GE3

    2708322

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal N, 160 A, 40 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, POWERPAK; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:160A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):40V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.0009ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:

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    SQ2309ES-T1_GE3
    SQ2309ES-T1_GE3

    2617108

    VISHAY

    Transistor MOSFET, Canal P, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, AUTO, CANAL N, 60V, 2.3A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal P; Corriente de Drenaje Continua Id:2.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.125ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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    Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, AUTO, CANAL N, 60V, 2.3A, SOT-23; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:2.3A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.125ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2

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    MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.083 ohm, -4.5 V, -1 V

    MOSFET CANAL P DOBLE, -20V, -4A, CHIPFET; Polaridad de Transistor:Canal P Doble; Corriente de Drenaje Continua Id:-4A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):-20V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.083ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):-4.5V; Tensión Umbr

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    2617098

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    Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 60 V, 0.022 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 60V, 16A; Polaridad de Transistor:Canal N; Corriente de Drenaje Continua Id:16A; Tensión Drenador-Fuente (Vds):60V; Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.022ohm; Tensión Vgs de Prueba Rds(on):10V; Tensión Umbral Vgs:2V; Dis

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